Sputtering-Abscheidung

· Sputtering-Abscheidung

Beim Beschuss mit hochenergetischen Partikeln auf der festen Oberfläche können die Partikel auf der festen Oberfläche Energie gewinnen und von der Oberfläche entweichen. Das auf dem Substrat abgelagerte Sputterphänomen wurde 1870 in der Filmplattierungstechnologie eingesetzt und wurde nach und nach eingesetzt In der industriellen Produktion nach 1930 wurde aufgrund der erhöhten Abscheidungsrate das Material in der Regel auf einem Plattentarget abgeschieden, das auf der Kathode fixiert wurde. Das Substrat wurde auf der Anode direkt gegenüber der Targetoberfläche platziert, einige Zentimeter vom Target entfernt, und das System wurde gepumpt auf ein Hochvakuum gebracht und dann mit 10~1 Pa Gas (normalerweise Argon) gefüllt. Zwischen der Kathode und der Anode wird eine Spannung von mehreren tausend Volt angelegt, und zwischen den Polen wird eine Glimmentladung erzeugt. Entladen Sie die positiven Ionen im elektrischen Feld unter der Wirkung des Fluges zur Kathode und der Atomkollision auf der Zieloberfläche, der Kollision Das von der Zieloberfläche entweichende Zielatom wird Sputteratom genannt, dessen Energie im Bereich von 1 bis mehreren Dutzend Elektronenvolt liegt. Sputteratom in der Substratoberfläche scheidet Film mit unterschiedlicher Verdampfungsbeschichtung ab, Sputterbeschichtung ohne Einschränkung durch den Schmelzpunkt des Membranmaterials, Ta-Sputtern WC Mo WC TiC und andere feuerfeste Substanzen können als Sputterverbindungsfilme durch reaktive Sputterverfahren verwendet werden, d Erzeugen Sie Verbindungen (z. B. Oxidnitrid usw.) und scheiden Sie einen auf dem Substrat abgeschiedenen Isolierfilm ab, der durch Hochfrequenz-Sputtern verwendet werden kann. Zielsubstrat in Erdungselektrode, Isolierung an der gegenüberliegenden Elektrode installiert. Hochfrequenzstrom an einem Ende geerdet, Ende durch Anpassung Netzwerk und DC-Kapazität erhalten eine mit Isolationsplatten gefüllte Isolationselektrode, die an die Hochfrequenzstromversorgung angeschlossen ist, ein Plasma mit wechselnder Polarität von Elektronen und positiven Ionen in der positiven Halbwelle der Spannung bzw. in der negativen Halbwelle der Hochfrequenzspannung, um die Isolierung auf dem Ziel zu erzeugen Die Elektronenmobilität ist höher als die positiver Ionen, die isolierende Targetoberfläche ist negativ geladen. Im dynamischen Gleichgewicht befindet sich das Target in einem negativen Vorspannungspotential, so dass das Sputtern positiver Ionen auf dem Target weiterhin die Abscheidungsrate mithilfe des Magnetronsputterns erreichen kann Nicht-Magnetron-Sputtern nimmt um fast eine Größenordnung zu

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