PVD-Sputtering-Abscheidung

Sputtering-Abscheidung

Prinzip: In einer Vakuumkammer wird ein Inertgas (z. B. Ar) durch ein elektrisches Hochspannungsfeld ionisiert, um Plasma zu erzeugen. Die positiv geladenen Ar⁺-Ionen bombardieren unter der Beschleunigung des elektrischen Feldes die Oberfläche des Zielmaterials. Durch Impulsübertragung werden die Atome des Zielmaterials „herausgesputtert“ (im gasförmigen Zustand) und dann auf der Substratoberfläche abgeschieden, um einen Film zu bilden. Kernvorteile: Starke Haftung zwischen Film und Substrat, hohe Gleichmäßigkeit der Zusammensetzung (nahe der Zusammensetzung des Zielmaterials) und eine breite Palette abscheidbarer Materialien (Metalle, Legierungen, Keramik, Verbindungen usw.). Mainstream-Technologien Magnetron-Sputtern (Magnetron-Sputtern) ist die am weitesten verbreitete Sputter-Technologie in Halbleitern. Durch die Begrenzung der Bewegungsbahn von Elektronen durch ein Magnetfeld wird die Kollisionszeit zwischen Elektronen und Gas verlängert, die Plasmadichte erhöht, wodurch die Sputtereffizienz und die Dünnschichtabscheidungsrate erhöht und gleichzeitig der Temperaturanstieg des Substrats verringert wird. Geeignet für hitzeempfindliche Halbleitersubstrate (z. B. Siliziumwafer).

Das Unternehmen IKS PVD bietet dekorative Beschichtungsmaschinen, Werkzeugbeschichtungsmaschinen, DLC-Beschichtungsmaschinen, optische Beschichtungsmaschinen und PVD-Vakuumbeschichtungslinien mit schlüsselfertigen Projekten an. Kontaktieren Sie uns jetzt, E--Mail: iks.pvd@foxmail.com