Ceramic MOBILEPHONE Cover Plate Beschichtungsprozess Einleitung

Ceramic MOBILEPHONE Deckplatte Beschichtungsprozess Einführung

Mit der rasanten Entwicklung der 5G-Technologie wird Keramik aufgrund der fehlenden Signalabschirmung und der guten mechanischen Eigenschaften zum am meisten betroffenen Material in der 5G-Ära, und die Marktaussichten für zukünftige Keramiken werden sehr groß sein. Die Oberflächenbehandlung von keramischen Produkten erfordert ein PVD-Beschichtungsverfahren. Gegenwärtig besteht der Beschichtungsprozess von Keramikprodukten hauptsächlich aus Verdampfen und Sputtern. Logo oder Farbfilm und AF-Behandlung werden auf Keramikprodukten aufgetragen. Werfen wir einen Blick auf diese beiden Beschichtungsprozesse.

Das Foto des PVD-Logos auf der Keramik-Rückseite des Mobiltelefons wurde in der dritten Ringkabine aufgenommen

Vakuum- und Dampfbeschichtung

Vakuumverdampfungsfilm ist eine Art Film, der auf der Oberfläche des Substrats unter Vakuumbedingungen gebildet wird . Wärme verdampft das verdampfende Material und setzt es auf der Substratoberfläche ab, um einen festen Film zu bilden.

Schematische Darstellung der Vakuumverdampfungsbeschichtung

Grundlegende prozess der vakuumverdampfung beschichtung:

Vorbereitung vor dem Plattieren → Vakuum → Ionenbeschuss → Backen → Vorschmelzen → Verdampfen → Teile entnehmen → Membranoberflächenbehandlung → Fertigprodukte

Abbildung Flussdiagramm des Vakuumverdampfungsbeschichtungsprozesses

Eigenschaften der Vakuumverdampfungsbeschichtung:

Vorteile: Die Ausrüstung ist einfach und leicht zu bedienen, der Film aus hoher Reinheit, gute Qualität, Dicke kann genauer kontrolliert werden, Filmbildungsrate ist schnell, hohe Effizienz, der Filmwachstumsmechanismus ist relativ einfach.

Nachteile: Die auf dem Substrat gebildete Filmhaftung ist gering, die Prozesswiederholbarkeit ist nicht gut genug, es ist nicht einfach, die kristalline Struktur des Films zu erhalten .

Magnetron-Sputter-Beschichtung

Prinzip der Magnetron-Zerstäubungsbeschichtung:

Bei der Beschleunigung auf das Substrat unter Einwirkung eines elektrischen Feldes stoßen Elektronen mit Argonatomen zusammen, ionisieren eine große Anzahl von Argonionen und Elektronen und fliegen dann auf das Substrat. Unter der Einwirkung eines elektrischen Feldes beschleunigen sich Argonionen, um das Target zu bombardieren, wobei eine große Anzahl von Targetatomen ausgesputtert wird, und die neutralen Targetatome (oder Moleküle) werden auf dem Substrat abgeschieden, um einen Film zu bilden.

FEIGE. Magnetron-Sputterprinzip

Hauptprozess beim Magnetron-Sputtern:

(l) das Substrat wird hauptsächlich mit Wasserdampf von Isopropylalkohol gereinigt und dann in Ethanol und Aceton eingeweicht, gefolgt von schnellem Trocknen, um Ölflecken auf der Oberfläche zu entfernen;

(2) Vakuum, das Vakuum muss über 2 × 104 Pa geregelt werden, um die Reinheit des Films sicherzustellen;

(3) Erhitzen. Um Feuchtigkeit auf der Oberfläche des Substrats zu entfernen und die Haftung zwischen dem Film und dem Substrat zu verbessern, muss das Substrat erwärmt werden. Die Temperatur wird im Allgemeinen zwischen 150 ° C und 200 ° C gewählt .

(4) Der Argonpartialdruck wird im allgemeinen im Bereich von 0,01 bis 1 Pa gewählt, um die Druckbedingung der Glimmentladung zu erfüllen.

(5) Vorsputtern. Das Vorsputtern dient zum Entfernen des Oxidfilms auf der Oberfläche des Targetmaterials durch Ionenbeschuss, um die Qualität des Films nicht zu beeinträchtigen.

(6) Sputtern: Unter der Einwirkung eines orthogonalen Magnetfelds und eines elektrischen Felds treffen die nach der Ionisierung von Argon gebildeten positiven Ionen mit hoher Geschwindigkeit auf das Target, so dass die durch das Sputtern erzeugten Targetpartikel die Substratoberfläche erreichen und sich in einem Film ablagern ;

(7) Während des Temperns sind die Wärmeausdehnungskoeffizienten von Film und Substrat unterschiedlich und die Bindekraft ist gering. Beim Tempern kann die gegenseitige Diffusion von Atomen zwischen Film und Substrat die Haftung wirksam verbessern.

Flussdiagramm des Magnetron-Sputterprozesses

Je nach Sputterquelle kann das Magnetronsputtern in Gleichstrom und Hochfrequenz unterteilt werden. Der Hauptunterschied zwischen den beiden liegt in den verschiedenen Arten der Gasentladung. HF-Magnetron-Sputtern VERWENDET HF-Entladung, während Keramikprodukte HF-Magnetron-Sputtern verwenden.

Magnetron-Sputterbeschichtung:

Vorteile: hohe reinheit, dichte, gleichmäßige dicke kann gesteuert werden, die prozesswiederholbarkeit ist besser, starke haftung.

Nachteile: Komplexe Ausstattung, niedrige Zielauslastung.

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