Gepulstes Hochleistungs-Magnetron-Netzteil
Gepulstes Hochleistungs-Magnetron-Netzteil Vorteile der gepulsten Magnetron-Sputter-Technologie mit hoher Leistung (HIPIMS) ● Die konventionelle DC-Magnetron-Impulsleistung wird durch die thermische Belastung des Targets begrenzt. ● Der Großteil der Ionenkollisionsenergie kann direkt in thermische Energie des ...
- Produkteinführung
Vorteile der gepulsten Magnetron-Sputtertechnologie mit hoher Leistung ( HIPIMS )
● Die konventionelle DC-Magnetron-Impulsleistung ist durch die thermische Belastung des Ziels begrenzt.
● Der Großteil der Ionenkollisionsenergie kann direkt in thermische Energie des Ziels umgewandelt werden.
● Die gepulste Magnetron-Stromquelle sorgt für hohe Pulsleistung und geringe Einschaltdauer.
● Die gepulste Magnetron-Stromquelle kann direkt die DC-Magnetron-Sputter-Stromquelle ersetzen.
Vergleich zwischen gepulster Hochspannungs-Magnetron-Sputter-Entladung und DC-Magnetron-Sputter-Entladung
Merkmale der gepulsten Magnetron-Sputter-Entladung mit hoher Leistung | Eigenschaften von Dc Magnetron Sputtering Discharge |
Kathode entladung spannung ist 500 ~ 2000 V, die Stromdichte beträgt bis zu 3 ~ 4A / cm 2 . | Die Magnetfeldintensität beträgt 0,01 bis 0,05 T, während die Arbeitsspannung 300 bis 700 V unter dem typischen DC-Magnetron-Sputter-Arbeitsdruck (1 bis 10 mTorr) beträgt. |
Die Elektronendichte nahe der Substratoberfläche : 10 18 ~ 10 19 m - 3 | Die Elektronendichte nahe der Substratoberfläche: 10 15 ~ 10 16 m -3 |
Leistungsdichte: 1 ~ 3kW / cm 2 | Niedrige Ionisationsrate (~ 1%) des Targets während des Sputterns. |
Frequenz: 100 ~ 1000Hz | Inerte Gasionen sind in der Mehrzahl |
Einschaltdauer: 1% ~ 10% | Zusätzliche zusätzliche Ionisierungsausrüstung (HF der Mikrowelle) wird benötigt. |
Merkmale des gepulsten Magnetron-Sputternetzteils mit hoher Leistung
● Die Entladung der positiven und negativen Elektrode wird durch einen Hochgeschwindigkeitsschalter gesteuert, um zu verhindern, dass sie in den Bereich der Lichtbogenentladung aus dem anormalen Glimmentladungsbereich des herkömmlichen Magnetron-Sputterns eintritt. Die Stromdichte beträgt bis zu 1018-1019 / m3, was extrem höher ist als beim traditionellen Magnetron-Sputtern. Und mit einer extrem hohen Ionisationsrate von 80% -99% kann es leicht eine Vielzahl von fortschrittlichen Filmen mit starker Haftung abscheiden.
● Hochleistungs-Puls-Magnetron-Sputter-Leistung bietet bessere Filmeigenschaften in Bezug auf Filmkonsistenz, Härte, Verschleißfestigkeit und Haftung.
● Die PHP-Technologie zur Lichtbogenunterdrückung stellt sicher, dass Benutzer die Qualität des Films besser bei der Oberflächenbehandlung kontrollieren können. Mit den Merkmalen der Spannungsstabilisierung und des idealen Umpufferns kann die Stromversorgung die Lichtbogenbildung auf der Werkstückoberfläche wirksam verhindern und die Produktionsausbeute, die Oberflächenfeinheit und die Filmhaftung der Plattierungsstücke signifikant verbessern.
● Die gepulste Magnetronspeisung der hohen Leistung nimmt vorgerückte Hochfrequenzwechselrichter-Energiequellentechnologie und Hochleistungs-IGBT-Energie-Modul an
● Mit dem Touchscreen-Mikrocontroller ist das Netzteil hochintegriert und leistungsstark mit einfacher Bedienung. Die Anzeige von Strom und Spannung ist sehr übersichtlich und intuitiv. Außerdem unterstützt es Mehrkanal-Hochgeschwindigkeitszählung und Hochgeschwindigkeitsimpulsfunktion.
● Das Netzteil hat die Schutzfunktionen für Überstrom, Überspannung und Übertemperatur.
● Das Netzteil kann über die digitalen Anschlüsse wie RS232, RS485, WIFI usw. mit dem Host-Computer kommunizieren, wodurch die Steuerfunktion erweitert wird.
Produktspezifikation:
Produktmodell | |
Eingangsleistung und Frequenz (V / Hz) dreiphasig und vieradrig | AC380 + N |
| 60Hz | |
0 ~ 500 | |
Genauigkeit für konstanten Voltag und konstanten Strom | ≤1% |
Nennausgangsspannung (DCV) | 800 |
Maximale Durchschnittsleistung (KW) | 40 |
Spitzenleistung (KW) | 400 |
Auslastungsgrad (%) | <> |
Gewicht (kg) | 60 |
Außenmaße (MM) | 575 (D) × 480 (W) × 250 (H) |
B | |
Produktivität (%) | 90 |
Gehäuseschutzklasse | IP21 |
Betriebsart | Konstantspannung, Konstantstrom und Konstantleistungsmodi sind optional. |
Kühlmodus | Wasserkühlen |
Externe Schnittstelle | Diese Serie Produkte alle nehmen den Touch Screen Microcontroller an |
Vergleich zwischen der Hochleistungs-Impuls-Magnetron-Sputter-Stromquelle EP50A80H und anderen Produkten
Hochleistungs-Impuls-Magnetron-Sputtern | |||
Marke | Hauzer | IKS | |
HIPIMS + | EP50A80H | ||
Maximale Durchschnittsleistung | 20KW | 20KW | 40KW |
Spitzenleistung | 1 MW ~ 8 MW | 360KW | 400KW |
Stromspannung | 1 kV, 2 kV | 800 | 800 |
Strom | 1KA, 2KA, 4KA | 600 | 500 |
Lichtbogenerkennung | <500> | <> | <500> |
Verpackung (B * H * T) | 483x635x676 | Null | 480x268x700 |
Vorteile der Hochleistungsimpuls-Magnetron-Sputterleistung EP50A80H
● Hohe Zuverlässigkeit
EP50A80H liefert bessere Filmeigenschaften in Bezug auf Filmkonsistenz, Härte, Verschleißfestigkeit und Haftung.
● Ausgezeichnete Lichtbogenunterdrückungstechnologie
EP50A80H verwendet PHP-Lichtbogenlöschungs-Technologie, damit Benutzer die Qualität des Films während der Oberflächenbehandlung bequem steuern können, um eine bessere Filmstruktur zu erhalten.
EP50A80H kann die vorhandene Magnetron-Sputter-Stromversorgung direkt ersetzen. Anstatt die Kathodenmaterialien und Magnetfelder zu ersetzen, müssen Benutzer nur das Kühlsystem austauschen.
● Hohes Verhältnis von Leistung zu Volumen
Ein hohes Leistungsvolumenverhältnis erleichtert die Integration der Geräteinstallation für die Benutzer.
Anwendung
Magnetronsputternergiequelle der hohen Leistung MF wird weit in den Plasma-, physikalischen, chemischen, medizinischen und verschiedenen wissenschaftlichen Forschungsgebieten benutzt, sie kann eine breite Strecke der Prozessanforderungen besonders in den Vakuumbeschichtungsgeräten treffen.
