Faktoren der unebenen Dünnschicht Ursache durch Magnetron Sputtern Vakuum-Beschichtungsanlage

Die Faktoren der unebenen Filmschicht verursachen, indem SieMagnetron Sputtern Vakuum-Beschichtungsanlagedrei Aspekte beinhalten: Vakuum-Staat, Magnetfeld und Argon-Gas.

Das Wirkprinzip derMagnetron Sputtern Vakuum-BeschichtungsanlageDas heißt unter Vakuum Staaten, das Elektron des orthogonalen Magnetfeldes zu bombardieren die Argon und Argon-Ionen, dann das Targetmaterial Bombardement zu bilden, damit das Ziel-Ion auf der Oberfläche des Werkstücks in Form dünner Film hinterlegt werden kann.

Der Vakuumzustand braucht das Pumpsystem zu kontrollieren, und jeder Vent sollte gleichzeitig betätigten und konsequent sein. Wenn die Pumpen nicht einheitlich ist, wird der Druck innerhalb der Vakuumkammer uneben sein. Der Druck hat einen gewissen Einfluss auf die Bewegung von Ionen. Darüber hinaus muss die Zeit der Pumpen gesteuert werden. Zu kurz wird dazu führen, dass Unzureichendes Vakuum, aber es ist zu lang und eine Verschwendung von Ressourcen.

Das magnetische Feld orthogonal funktioniert, aber es ist unmöglich, die magnetische Feldstärke 100 % vereinheitlichen. Wo das allgemeine Magnetfeld stark ist, die Dicke des Films groß ist, aber es klein, ganz im Gegenteil ist, so verursacht es die Inkonsistenz der Dicke des Films. Allerdings ist die Unebenheiten des Films aufgrund der Inhomogenität des magnetischen Feldes im Produktionsprozess, nicht üblich.

Argon Gas Einheitlichkeit betrifft auch Film Einheitlichkeit, und das Prinzip ist ähnlich wie bei Vakuum. Da Argon die Vakuumkammer eingibt, wird der Druck in der Kammer ändern. Der gleichmäßige Druck kann die Gleichmäßigkeit der Schichtdicke der Magnetron Sputtern Vakuumbeschichtung Maschine steuern.

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