Zu den häufigsten CVD-Typen gehören die folgenden drei Typen
Oct 17, 2024| Zu den häufigsten CVD-Typen gehören die folgenden drei Typen
APCVD-chemische Gasphasenabscheidung bei Atmosphärendruck (AP-CVD) bezieht sich auf die Reaktion bei Atmosphärendruck und einer Temperatur von 400 bis 800 Grad, die zur Herstellung monokristalliner Silizium-, Polysilizium-, Siliziumdioxid- und dotierter SiO2-Dünnfilme verwendet wird.
LPCVD-Niederdruck-chemische Gasphasenabscheidung (LP-CVD) bezieht sich auf die Herstellung von SiO2 und PSG/BPSG, Siliziumnitrid, Polysilizium, Si3N4 und anderen dünnen Schichten im Prozess über 90 nm.
3. Die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PE-CVD) von PECVD ist die gängige Prozessausrüstung für die Abscheidung dielektrischer Isolierschichten und Halbleitermaterialien im 28–90-nm-Prozess. Seine Vorteile sind eine niedrigere Abscheidungstemperatur, eine höhere Filmreinheit und -dichte sowie eine schnellere Abscheidungsrate, die für die meisten gängigen mittleren Filme geeignet ist.
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